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溅射靶材的性能要求
一、纯度
纯度是溅射靶材的主要性能指标，溅射靶材的纯度对薄膜的性能影响是很大的，不过在实际应用过程中，不同产品对靶材的纯度要求也各不相同。就比如在微电子行业中，随着行业的发展，硅片的尺寸硅片尺寸铸件发展，而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，之前的靶材纯度就可以满足0.35umIC的工艺要求，但对于制备0.18um线条之前的靶材纯度就无法胜任，需要要求纯度为更高一些。
二、杂质含量
溅射靶材中杂质和气孔中的氧气以及水气是靶材沉积薄膜的主要污染源，不同用途的靶材对于杂质含量的要求也不同。在半导体行业中使用的纯铝和铝合金靶材，对于碱金属含量和放射量元素都有一定特殊的要求。
三、密度
为了减少溅射靶材中的气孔数量，提高溅射薄膜的性能，对溅射靶材的密度也有一定的要求。因为溅射靶材的密度会影响靶材的溅射数量，还会影响薄膜的电学和光学性能。靶材的密度越高，薄膜的性能也就越好。不仅如此，提高靶材的密度和强度还能够帮助靶材更好的承受溅射过程中的热应力，因此密度也是溅射靶材的重要性能指标之一。
四、结晶取向
溅射靶材在溅射的适合，靶材原子容易沿着原子六方中比较紧密排列方向择优溅射出来，因此为了提高靶材溅射速度，需要通过改变靶材结晶结构的方法来增加溅射速度。对于不同的材料有着不同的结晶结构，因此需要采取不同的成型方法、热处理方法以及条件来提高靶材溅射效率和确保淀积薄膜的质量。
一、纯度
纯度是溅射靶材的主要性能指标，溅射靶材的纯度对薄膜的性能影响是很大的，不过在实际应用过程中，不同产品对靶材的纯度要求也各不相同。就比如在微电子行业中，随着行业的发展，硅片的尺寸硅片尺寸铸件发展，而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，之前的靶材纯度就可以满足0.35umIC的工艺要求，但对于制备0.18um线条之前的靶材纯度就无法胜任，需要要求纯度为更高一些。
二、杂质含量
溅射靶材中杂质和气孔中的氧气以及水气是靶材沉积薄膜的主要污染源，不同用途的靶材对于杂质含量的要求也不同。在半导体行业中使用的纯铝和铝合金靶材，对于碱金属含量和放射量元素都有一定特殊的要求。
三、密度
为了减少溅射靶材中的气孔数量，提高溅射薄膜的性能，对溅射靶材的密度也有一定的要求。因为溅射靶材的密度会影响靶材的溅射数量，还会影响薄膜的电学和光学性能。靶材的密度越高，薄膜的性能也就越好。不仅如此，提高靶材的密度和强度还能够帮助靶材更好的承受溅射过程中的热应力，因此密度也是溅射靶材的重要性能指标之一。
四、结晶取向
溅射靶材在溅射的适合，靶材原子容易沿着原子六方中比较紧密排列方向择优溅射出来，因此为了提高靶材溅射速度，需要通过改变靶材结晶结构的方法来增加溅射速度。对于不同的材料有着不同的结晶结构，因此需要采取不同的成型方法、热处理方法以及条件来提高靶材溅射效率和确保淀积薄膜的质量。
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